Efekti fononskog i elektronskog kvantnog zatočenja kod nanostrukturnog visoko luminiscentnog poroznog silicija

Uzorci nanostrukturnog visoko luminiscentnog poroznog silicija različitih poroznosti i veličine nanokristala su izrađeni anodizacijom slabo dopiranih silicijevih pločica p-tipa. Snimanjem Raman spektara s nerezonantnom pobudom primijećen je crveni pomak i širenje O(Γ) fononske vrpce što upućuje na jako fononsko zatočenje. Slično tome opažen je efekt kvantnog zatočenja elektrona u vidu plavog pomaka fotoluminiscentne vrpce sa smanjivanjem dimenzije nanokristala.

Vibracijski i optički podaci iz spektara su analizirani s postojećim modelima kvantnog zatočenja vibracijskih i elektronskih stanja u silicijevim nanočesticama. S obzirom da energija fotoluminiscencije u malim nanokristalima (< 3nm) također ovisi o sadržaju kisika na površini nanokristala, površinska oksidacijska stanja su određena koristeći infracrvenu spektroskopiju (FTIR) i energijski razlučujuću rendgensku spektrometriju (EDS). Nađena je djelomična prekrivenost površine nanokristala s kisikom zbog izlaganja uzoraka zraku uslijed čega se fotoluminiscentna vrpca ne mijenja na način kako bi se to očekivalo prema modelu kvantnog zatočenja. Ti rezultati dodatno ukazuju da pasivizacija površine kisikom uz kvantno zatočenje određuje elektronska stanja silicijevih nanokristala poroznog silicija.

Seminar će se održati u četvrtak, 5. veljače 2015. godine, u 14: 00 sati, u predavaoni F-14

Fizičkog odsjeka PMF-a, Bijenička cesta 32, Zagreb

Pozivaju se studenti doktorskog studija Fizike, smjer Atomska i molekularna fizika da prisustvuju

seminaru, ako nisu spriječeni.

Voditelj smjera :

Prof. dr. sc. Hrvoje Buljan, v. r.