CILJEVI PREDMETA: Cilj kolegija Fizika poluvodiča je upoznati studente s osnovnom teorijskom pozadinom fenomena poluvodljivosti, ulogom defekata u poluvodičima, vrstama poluvodiča, transportnim, električnim, termo električkim, magnetskim i optičkim svojstvima poluvodiča te povezanim eksperimentalnim tehnikama. Kroz kolegij Fizika poluvodiča studente se upoznaje i s industrijskom primjenom poluvodičkih spojeva.
ISHODI UČENJA NA RAZINI PROGRAMA KOJIMA PREDMET DOPRINOSI:
1. ZNANJE I RAZUMIJEVANJE
1.1. formulirati i obrazložiti temeljne zakone fizike što uključuje mehaniku, elektromagnetizam i termodinamiku;
1.3. pokazati temeljito poznavanje važnijih fizikalnih teorija što uključuje njihovo značenje, eksperimentalnu motivaciju i potvrdu, logičku i matematičku strukturu i povezane fizikalne pojave;
1.4. navesti i opisati najsuvremenije znanstvene spoznaje u području svoje specijalizacije
2. PRIMJENA ZNANJA I RAZUMIJEVANJA
2.1. razviti način razmišljanja koji omogućava postavljanje modela ili prepoznavanje i primjenu postojećih modela u traženju rješenja za konkretne fizikalne i analogne probleme;
2.2. prepoznati analogije u situacijama koje su fizikalno različite, kao i u situacijama analognim fizikalnima te iskoristiti poznata rješenja u novim problemima;
2.4. primijeniti postojeće modele za razumijevanje i objašnjenje novih eksperimentalnih pojava i podataka
3. Stvaranje prosudbi
3.2. razviti osjećaj osobne odgovornosti kroz samostalni odabir izbornih sadržaja ponuđenih u studijskom programu
4. KOMUNIKACIJSKE SPOSOBNOSTI
4.2. prilagoditi prezentaciju vlastitih rezultata istraživanja, kako ekspertima u području, tako i široj publici;
5. SPOSOBNOST UČENJA
5.1. samostalno koristiti stručnu literaturu i ostale relevantne izvore informacija što podrazumijeva dobro poznavanje engleskog kao jezika struke;
5.2. samostalno pratiti razvoj novih spoznaja u polju fizike te dati stručno mišljenje o njihovom dosegu i mogućim primjenama;
5.3. uključiti se u znanstveni rad i istraživanja u sklopu doktorskog studija
OČEKIVANI ISHODI UČENJA NA RAZINI PREDMETA:
Nakon uspješnog završetka kolegija Fizika poluvodiča, student će biti sposoban:
* obrazložiti teorijsku pozadinu fenomena poluvodljivosti;
* opisati ulogu i načine uvođenja defekata u poluvodičima;
* navesti i opisati transportna, električna, termoelektrička, magnetska i optička svojstva poluvodiča te povezane eksperimentalne tehnike;
* navesti i opisati vrste poluvodiča;
* opisati industrijske primjene poluvodičkih spojeva;
SADRŽAJ PREDMETA:
Sadržaj kolegija Fizika poluvodiča:
1. Elementarna definicija poluvodiča, važniji rani radovi i kemijski pristup poluvodljivosti.
2. Zonska teorija poluvodiča.
3. Vlastiti i nevlastiti poluvodiči.
4. Porijeklo i klasifikacija defekata. Kontrolirano uvođenje defekata.
5. Koncentracija nosilaca naboja u toplinskoj ravnoteži.
6. Tipovi poluvodiča i kompenzacija.
7. Raspršenje nosilaca naboja i transportna svojstva poluvodiča.
8. Električna vodljivost, termoelektromotorna sila i Hallov efekt. Rekombinacija nosilaca naboja.
9. Optička svojstva poluvodiča. Apsorpcija zračenja i fotovodljivost.
10. Eksperimantalno određivanje osnovnih parametara poluvodljivosti. Električke i optičke metode.
11. Vrste poluvodiča. Elementarni poluvodiči, poluvodički spojevi. Kristalni, amorfni i staklasti poluvodiči. Superrešetke.
U sklopu kolegija student posjećuje jednu istraživačku grupu i izrađuje seminar o aktualnim istraživanjima te ga prezentira pred svojim kolegama i nastavnikom.
OBVEZE STUDENATA:
Studenti su dužni redovito pohađati predavanja i aktivno sudjelovati u rješavanju problema na vježbama. U sklopu kolegija student je dužan posjetiti istraživačku grupu čije su područje rada poluvodiči, izraditi seminar vezan uz aktualna istraživanja te ga prezentirati pred svojim kolegama i nastavnikom.
OCJENJIVANJE I VREDNOVANJE RADA STUDENATA:
Ocjena predmeta temelji se na znanju pokazanaom na završnom usmenom ispitu iz gradiva te napisanom seminarskom radu i održanom izlaganju i položenom kolokviju.
|
- B. Sapoval and C. Hermann, Physics of Semiconductors, Springer Verlag, New York, 1995.
- R.A. Smith, Semiconductors, 2nd Edition, Cambridge University Press, London, 1978.
|
Pristupačnost
